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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半绝缘GaAs“热转换”的低温光致发光研究
作者姓名:
吴灵犀
张泽华
陈廷杰
万寿科
何宏家
曹福年
孟庆惠
李永康
作者单位:
中国科学院半导体研究所(吴灵犀,张泽华,陈廷杰,万寿科,何宏家,曹福年),中国科学院物理研究所(孟庆惠),中国科学院物理研究所(李永康)
摘 要:
半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表面导电类型的转变和光致发光谱的变化。这些性质被称为“热转换”。在有“热转换”的衬底上制作的器件性能大大下降。因而研究转变的原因并有效地消除这种“热转换”是有重要意义的。顺磁共振、变温霍尔系数测量、光致发光测量及二次离子质谱分析等都是研究的手段。
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