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磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响
引用本文:王剑锋,宋忠孝,徐可为,范多旺.磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(6):978-981.
作者姓名:王剑锋  宋忠孝  徐可为  范多旺
作者单位:1. 西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049
2. 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049
3. 兰州交通大学,光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州,甘肃,730070
基金项目:国家研究发展基金;中国科学院资助项目;教育部重点实验室基金
摘    要:用反应磁控溅射法在不同的氮分压下沉积了Nb-Si-N薄膜.结果表明:Nb-Si-N膜的成分、结构和性能随氮分压的改变而不同.随氮分压的增加,Nb-Si-N膜的Nb/Si比和表面粗糙度减小;薄膜的电阻值和微硬度增加.Nb-Si-N膜的结构为纳米晶NbN与类似Si3N4非晶相组成的纳米复合结构,且随着氮分压的增加,Nb-Si-N膜的非晶倾向增强,晶粒尺寸减小.

关 键 词:磁控溅射  氮分压  结构
文章编号:1002-185X(2006)06-0978-04
收稿时间:2005-07-12
修稿时间:2005年7月12日

The Effect of N2 Partial Pressure on the Microstructure and Properties of Nb-Si-N Films
Wang Jianfeng,Song Zhongxiao,Xu Kewei,Fan Duowang.The Effect of N2 Partial Pressure on the Microstructure and Properties of Nb-Si-N Films[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(6):978-981.
Authors:Wang Jianfeng  Song Zhongxiao  Xu Kewei  Fan Duowang
Abstract:The Nb-Si-N films were deposited by reactive magnetron sputtering with different N2 partial pressures. The result showed that the composition, microstructure and properties of the Nb-Si-N films depend strongly on the N2 partial pressure. As the N2 partial pressure increasing, the Nb/Si ratio and the surface roughness decease, but the bulk resistance and microhardness of the Nb-Si-N films increase. The microstructure of Nb-Si-N films is a nano-composite structure consisting of nano-sized NbN crystallites and amorphous Si3N4-like compound of Si-N. With the increase of N2 partial pressure, the amorphous tendency of Nb-Si-N films increases and the grain size decreases.
Keywords:Nb-Si-N
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