| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 |
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| 引用本文： | 马腾,苏丹丹,周航,郑齐文,崔江维,魏莹,余学峰,郭旗.γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J].红外与激光工程,2018,47(9):920006-0920006(6). |
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| 作者姓名： | 马腾 苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰 郭旗 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（11475255）;国家自然科学基金青年科学基金（11505282）;中国科学院西部之光项目（2015-XBQN-B-15，XBBS201321） |
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| 摘 要： | 研究了射线辐照对130 nm部分耗尽（Partially Depleted，PD）绝缘体上硅（Silicon on Insulator，SOI）工艺MOS器件栅氧经时击穿（Time-Dependent Dielectric Breakdown，TDDB）寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数，分析了射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷，影响了器件内部势垒的分布，降低了电子跃迁的势垒高度，导致了电子遂穿的正反馈作用增强，从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间，最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。
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| 关 键 词： | 场效应晶体管 可靠性 栅氧经时击穿 γ射线 |
| 收稿时间： | 2018-04-05 |
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