| 基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成 |
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| 引用本文： | 袁配,王玥,吴远大,安俊明,祝连庆.基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成[J].红外与激光工程,2019,48(8):818004-0818004(7). |
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| 作者姓名： | 袁配 王玥 吴远大 安俊明 祝连庆 |
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| 作者单位： | 1.北京信息科技大学 光纤传感与系统北京实验室,北京 100016; |
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| 基金项目： | 高等学校学科创新引智计划（先进光电子器件与系统学科创新引智基地D17021） |
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| 摘 要： | 波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片，并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性，在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7 dB，串扰小于-22 dB。电吸收型VOA在20 dB的衰减量下的功耗为572 mW （106 mA，5.4 V）。此外，该器件可以实现光功率的快速衰减，在0~5 V的外加方波电压下，VOA上升及下降时间分别为50.5 ns和48 ns。
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| 关 键 词： | 阵列波导光栅 可调光衰减器 硅基光子学 绝缘体上硅 |
| 收稿时间： | 2019-03-05 |
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