| 单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片 |
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| 引用本文： | 丘文夫,林中晞,苏辉.单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片[J].红外与激光工程,2018,47(12):1220003-1220003(5). |
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| 作者姓名： | 丘文夫 林中晞 苏辉 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院福建物质结构研究所,福建 福州 350000; |
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| 基金项目： | 国家863计划（2013AA014202） |
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| 摘 要： | 为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成，开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3m InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示，激光二极管具有较低的阈值电流17.62 mA，较高的斜率效率0.13 mW/mA，输出功率可达11 mW；在-0.7 V的反向偏压下，探测器区域对光信号具有良好的线性响应，MPD的光电流超过0.3 mA，在-1.7 V的反向偏压下，暗电流可低至25 nA。
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| 关 键 词： | 半导体激光二极管 背光探测器 隔离区 低暗电流 |
| 收稿时间： | 2018-07-10 |
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