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| 2 μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展 | |
| 作者姓名： | 谢圣文 杨成奥 黄书山 袁野 邵福会 张一 尚金铭 张宇 徐应强 倪海桥 牛智川 |
| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（61790580,61435012）;国家973计划（2014CB643903） |
| 摘 要： | 2 m波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升,综述和讨论了2 m波段GaSb基激光器结构的发展过程,介绍了目前国内外的研究状况,讨论和分析了GaSb基激光器提升功率、效率的主要技术问题。并详细介绍了该领域近年来在传统激光器中引入的两种新结构,分析了其技术优势。指出目前2 m波段GaSb基大功率激光器面临瓶颈,并讨论了其发展趋势。 |
| 关 键 词： | 大功率半导体激光 2 μm GaSb基 |
| 收稿时间： | 2018-03-07 |
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