32×32面阵InGaAs Gm-APD激光主动成像实验 |
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作者姓名: | 孙剑峰 姜鹏 张秀川 周鑫 付宏明 高新江 王骐 |
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作者单位: | 1.哈尔滨工业大学 光电子技术研究所 可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室,黑龙江 哈尔滨 150001; |
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摘 要: | 近十年来,由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势,使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性,InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研InGaAs材料的3232像元Gm-APD基础上,搭建了一套1 570 nm激光主动成像实验平台,在成像帧频1 kHz、单脉冲能量2 mJ条件下,获得了外场3.9 km目标的轮廓像,在720 m处能获得目标的清晰表面结构距离像。通过该外场实验,证实了国内自研的面阵Gm-APD探测器性能良好,能够演示外场激光主动成像功能。实验结果表明,1 570 nm面阵APD激光成像雷达成像性能良好,能够实现远距离目标遥感探测,为未来实际应用奠定了良好的研究基础。
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关 键 词: | 激光成像雷达 面阵Gm-APD InGaAs |
收稿时间: | 2016-04-05 |
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