| 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管 |
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| 引用本文： | 白大夫,刘训春,王润梅,袁志鹏,孙海锋. 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报, 2004, 25(7): 756-761 |
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| 作者姓名： | 白大夫 刘训春 王润梅 袁志鹏 孙海锋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所 北京100029，中国科学院研究生院，北京100039，北京100029，北京100029，北京100029，中国科学院研究生院，北京100039，北京100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种采用 U形发射极新结构的高性能 In Ga P/ Ga As HBT.采用自对准发射极、L EU等先进工艺技术实现了特征频率达到 1 0 8GHz,最大振荡频率达到 1 4 0 GHz的频率特性 .这种新结构的 HBT的击穿电压达到 2 5 V,有利于在大功率领域应用 .而残余电压只有 1 0 5 m V,拐点电压只有 0 .5 0 V,使其更适用于低功耗应用 .同时 ,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异
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| 关 键 词： | 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力 |
Super Performance InGap/GaAs HBT with Novel Structure |
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| Bai Dafu,Liu Xunchun,Wang Runmei,Yuan Zhipeng,Sun Haifeng. Super Performance InGap/GaAs HBT with Novel Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(7): 756-761 |
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| Authors: | Bai Dafu Liu Xunchun Wang Runmei Yuan Zhipeng Sun Haifeng |
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| Abstract: | A kind of super performance InGaP/GaAs HBT with f T=108GHz and f max =140GHz is demonstrated.The excellent frequency performance results from the novel structure of the U shaped emitter,together with self aligned emitter and LEU(lateral etched undercut) technologies.The HBT with the novel structure shows a distinguished performance with BV CEO up to 25V.And excellent performance of low V offset of 105mV and V knee of 0 50V is great favor of low power applications.The differences due to the different structure are also compared. |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistor U shaped emitter self aligned emitter thermal handling capacity |
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