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一种采用Bi-CMOS缓冲器的LDO电路设计
引用本文:张亚南,解光军. 一种采用Bi-CMOS缓冲器的LDO电路设计[J]. 微计算机信息, 2008, 24(35)
作者姓名:张亚南  解光军
基金项目:安徽省优秀青年科技基金资助项目资助领域为信息科学(06042086)安徽省科技厅颁发  
摘    要:在分析传统LDO稳压器稳定性的基础上,提出一种新式电路结构.经HJTC 0.18umBi-CMOS工艺仿真验证,结果表明该电路显著提高LDO的频率稳定性,增益达到100dB左右,在负载电流从0-50mA变化时,输出电压变化为0.037V,最大负载电流为50mA时的电流效率为99.97%.

关 键 词:稳压器  密勒补偿  缓冲器  反馈网络

Design of LDO with Bi-CMOS buffer stage
ZHANG Ya-nan,XIE Guang-jun. Design of LDO with Bi-CMOS buffer stage[J]. Control & Automation, 2008, 24(35)
Authors:ZHANG Ya-nan  XIE Guang-jun
Abstract:
Keywords:
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