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Tb∶YAl3(BO3)4晶体的生长与光谱性质
引用本文:李静,王继扬,胡晓波,程绣风,刘耀岗,孔海宽.Tb∶YAl3(BO3)4晶体的生长与光谱性质[J].压电与声光,2003,25(5):393-395.
作者姓名:李静  王继扬  胡晓波  程绣风  刘耀岗  孔海宽
作者单位:山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100
基金项目:国家基础研究发展规划资助项目(G1998061403)
摘    要:采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。在542nm处最强,对应于Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5发射。Tb:Al_3(BO_3)_4晶体的比热为0.755 0 J/g·℃

关 键 词:助溶剂法  Tb:YAl3(BO3)晶体  光谱性能
文章编号:1004-2474(2003)05-0393-03
修稿时间:2002年7月25日

Growth and Spectral Properties of Tb:YAl3(BO3)4 Crystal
LI Jing,WANG Ji-yang,HU Xiao-bo,CHENG Xiu-feng,LIU Yao-gang,KONG Hai-kuan.Growth and Spectral Properties of Tb:YAl3(BO3)4 Crystal[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2003,25(5):393-395.
Authors:LI Jing  WANG Ji-yang  HU Xiao-bo  CHENG Xiu-feng  LIU Yao-gang  KONG Hai-kuan
Abstract:
Keywords:flux method  Tb:YAl_3(BO_3)_4 crystal: spectrum properties  specific heat
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