| 单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅰ、微波开关MESFT工作原理 |
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| 引用本文： | 冯珅,王福臣,过常宁. 单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅰ、微波开关MESFT工作原理[J]. 固体电子学研究与进展, 1986, 0(1) |
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| 作者姓名： | 冯珅 王福臣 过常宁 |
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| 作者单位： | 南京固体器件研究所(冯珅，王福臣)，南京固体器件研究所(过常宁) |
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| 摘 要： | 本文讨论了一种改进后的开关MESFET等效电路模型,介绍了器件的高、低阻抗态阻抗、本征截止频率、本征开关时间和功率容量等特征参数的分析计算方法.
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Monolithic Integrated GaAs MESFET Microwave Switches Ⅰ、Operation Principle of Microwave Switching MESFET |
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| Abstract: | The paper discusses a developed equivalent circuit model and the characteristic parameters of switching MESFET, such as the impedances of high and low impedance states, intrinsic cut-off frequency, intrinsic switching time and power-handling capability. |
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