| 一种低成本的硅垂直互连技术 |
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| 引用本文： | 封国强,蔡坚,王水弟,贾松良.一种低成本的硅垂直互连技术[J].半导体技术,2006,31(10):766-769,781. |
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| 作者姓名： | 封国强 蔡坚 王水弟 贾松良 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 本研究在化学镀方面得到了清华大学材料系杨志刚教授和硕士研究生王静的帮助;在试验结果的测试方面得到了精仪系杨文言老师和分析中心姚文清老师的帮助,在此向他们一并致谢. |
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| 摘 要： | 采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层.电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层.为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺.采用化学镀工艺,在Cu互连线上沉积150～200 nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层.高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性.
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| 关 键 词： | 硅垂直互连 阻挡层 化学镀 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）10-0766-04 |
| 收稿时间： | 2006-04-20 |
| 修稿时间： | 2006-04-20 |
Silicon Vertical Interconnect Technology of Low Cost |
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| FENG Guo-qiang,CAI Jian,WANG Shui-di,JIA Song-liang.Silicon Vertical Interconnect Technology of Low Cost[J].Semiconductor Technology,2006,31(10):766-769,781. |
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| Authors: | FENG Guo-qiang CAI Jian WANG Shui-di JIA Song-liang |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon vertical interconnects barrier layers electroless plating |
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