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薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4异质结光催化剂的制备及性能
引用本文:崔诗琦,张秀芳,王聪.薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4异质结光催化剂的制备及性能[J].大连工业大学学报,2018(3).
作者姓名:崔诗琦  张秀芳  王聪
作者单位:大连工业大学轻工与化学工程学院
摘    要:以β-SnWO_4和薄层g-C_3N_4为原料,通过静电力作用制备了具有异质结结构的薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外可见漫反射、荧光光谱仪等对薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂进行表征。通过在可见光下降解罗丹明B(RhB)来评价样品的光催化性能。结果表明,β-SnWO_4被嵌入薄层g-C_3N_4,且薄层g-C_3N_4质量分数为80%时,薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂的光催化性能最好,16min后RhB降解率可达96%。

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