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优质YIG和GaYIG大单晶的生长工艺
作者姓名:崔纪臣  李淑华  周训文  雷兴富  黄永模
作者单位:西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所
摘    要:一、引言在我国研制YIG单晶材料及器件,已有二十多年的历史,并取得了显著的成绩。科学技术的发展对单晶器件提出了更高的要求;如制备低损耗环行器、限幅器、电调延迟线和大功率磁光非互易器件(如光隔离器)等,均需要优质大单晶。目前我们已研制了YIG和Ga YIG优质大单晶,重量达130克。本文叙述了改进加速坩埚旋转周期对晶体生长的作用,以及用气冷代替水冷等

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