优质YIG和GaYIG大单晶的生长工艺 |
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作者姓名: | 崔纪臣 李淑华 周训文 雷兴富 黄永模 |
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作者单位: | 西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所,西南应用磁学研究所 |
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摘 要: | 一、引言在我国研制YIG单晶材料及器件,已有二十多年的历史,并取得了显著的成绩。科学技术的发展对单晶器件提出了更高的要求;如制备低损耗环行器、限幅器、电调延迟线和大功率磁光非互易器件(如光隔离器)等,均需要优质大单晶。目前我们已研制了YIG和Ga YIG优质大单晶,重量达130克。本文叙述了改进加速坩埚旋转周期对晶体生长的作用,以及用气冷代替水冷等
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