压接型IGBT器件升温曲线测量方法

利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因，研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法，对比了大电流通态压降(V_CE)法和大电流阈值电压(V_GE,th)法的测量原理，对压接型器件的适用性和测量准确度等。仿真结果表明，接触热阻在升温和降温阶段受压力的影响出现了不同的变化趋势，导致了升降温曲线的非等效性。实验结果表明，大电流V_GE,th法有效降低了压力对测量带来的影响，测量更为准确，测量误差基本在1 K以内，低于大电流V_CE法，为压接型IGBT器件进一步的多物理场耦合研究和老化监测提供了参考。此外，实验结果还表明压接型IGBT器件在升降温过程中，压力变化越大，升降温曲线的差异越明显。