| 氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展 |
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| 引用本文： | 王歌,杨帆,王方圆,杜浩毓,王晓龙,檀柏梅.氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展[J].半导体技术,2022(12):946-955. |
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| 作者姓名： | 王歌 杨帆 王方圆 杜浩毓 王晓龙 檀柏梅 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)；;河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)； |
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| 摘 要： | Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm, Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga2O3是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料，近年来受到了广泛的关注。介绍了Ga2O3材料的基本物理性质，分析了Ga2O3基肖特基势垒二极管(SBD)的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化Ga2O3基SBD性能的方法，并对Ga2O3基SBD的进一步发展趋势进行了展望。
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| 关 键 词： | 氧化镓(Ga2O3) 肖特基势垒二极管(SBD) 外延 边缘终端 场板 |
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