| h-BN/Al2O3栅介质氢终端金刚石场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 王维,蔚翠,何泽召,周闯杰,郭建超,马孟宇,高学栋,冯志红.h-BN/Al2O3栅介质氢终端金刚石场效应晶体管[J].半导体技术,2022(9):687-691+724. |
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| 作者姓名： | 王维 蔚翠 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所;2. 专用集成电路重点实验室 |
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| 摘 要： | 金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料，但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能，六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料，制备了h-BN/Al2O3栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al2O3/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升，达到186 cm2/(V·s)。相较于Al2O3栅介质的金刚石FET,h-BN/Al2O3栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升，分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm。通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度，h-BN/Al2O3栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×1012 cm-2·eV-1...
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| 关 键 词： | 金刚石 场效应晶体管(FET) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质 |
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