用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻

为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题，提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度，以近似峰值结温；采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度。测温过程中，采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦。对芯片底面金属测温结果进行了误差分析。最后，在4个加热功率下测量了芯片热阻，测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52%。