一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型 |
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引用本文: | 李静强,赵哲言,王生国,付兴中,魏碧华.一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型[J].半导体技术,2022(12):972-978+1026. |
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作者姓名: | 李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 |
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作者单位: | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所;2. 专用集成电路重点实验室 |
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摘 要: | GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性。基于0.25μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模。经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性。
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关 键 词: | GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 |
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