磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展

孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率，是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料，系统介绍了孪晶形核的各类物理模型，归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响。借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了InP多晶中孪晶形核现象。同时，总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响。最后，对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望。InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本，推动InP微电子及光电子领域的发展。