摘 要: | 为了在浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)过程中提高对SiO2介质层去除速率的同时保持晶圆表面一致性,研究了SiO2/CeO2混合磨料的协同作用以及对SiO2介质层去除速率及一致性的影响。结果显示,相比于单一磨料,采用混合磨料能够兼顾介质去除速率和一致性。采用质量分数10%SiO2(粒径为80 nm)与质量分数0.7%CeO2磨料混合抛光后,对介质层的去除速率达到347 nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为9.38%。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察颗粒状态发现,晶圆表面吸附大量的SiO2颗粒会阻碍CeO2磨料与晶圆表面接触,从而降低对晶圆中心的去除速率,使化学作用更均匀。通过将小粒径SiO2磨料(40 nm)与CeO2磨料混合,使介质层去除速率进一步提升至374 nm/min, WIWNU降低到8.83%,用原子力显微镜(AFM)表征抛光后晶圆...
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