SiC MOSFET驱动与保护电路设计 |
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引用本文: | 咸粤飞,崔晓光,胡冰,邵春伟,赵栋,赵振华,闫青亮.SiC MOSFET驱动与保护电路设计[J].半导体技术,2022(8):660-664. |
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作者姓名: | 咸粤飞 崔晓光 胡冰 邵春伟 赵栋 赵振华 闫青亮 |
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作者单位: | 中车青岛四方车辆研究所有限公司 |
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摘 要: | 介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。
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关 键 词: | SiC MOSFET 驱动电路 保护电路 尖峰 振荡 吸收电路 |
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