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| 日本用表面微机械加工技术制备成功集成热释电红外传感器阵列 | |
| 摘 要： | 日本丰桥理工大学的研究人员利用表面微机械加工技术首次在外延γ-Al_2O_3/Si衬底上制备出一种带有nMOS/nJFET器件的集成热释电红外传感器阵列。由于热释电和铁电薄膜的取向及结晶度控制对获取高灵敏度热释电红外探测器非常重要,为了把它们控制好, |
| 关 键 词： | 热释电红外探测器 传感器阵列 微机械加工技术 集成 制备 表面 日本 Si衬底 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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