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光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量
引用本文:石瑞英,郭永康. 光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量[J]. 半导体技术, 2001, 26(3): 20-26
作者姓名:石瑞英  郭永康
作者单位:1. 四川大学物理系,四川成都610064
2. 中科院微电子中心,北京 100010
基金项目:国家重点实验室基金;;
摘    要:论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地位和作用。

关 键 词:亚微米光刻 光学邻近效应 光学邻近校正 图形质量
文章编号:1003-353X(2001)03-0020-07
修稿时间:2000-07-03

Optical proximity correction for improving pattern quality in submicron photolithography
SHI Rui-ying,GUO Yong-kang. Optical proximity correction for improving pattern quality in submicron photolithography[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(3): 20-26
Authors:SHI Rui-ying  GUO Yong-kang
Abstract:In this paper, the development of optical proximity correction technique is preserted. The various methods of optical proximity correction for improving the lithography pattern quality are discussed. The function and the position of optical proximity correction on lithography technology in future are analyzed.
Keywords:submicron photolithography  OPE  OPC  wavefront engineering
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