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| 光刻区缺陷管理 | |
| 引用本文： | 张赞彬.光刻区缺陷管理[J].集成电路应用,2006(11):40-42. |
| 作者姓名： | 张赞彬 |
| 作者单位： | 美国科天中国公司 |
| 摘 要： | 浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进，光刻变得更为复杂；随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用．对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用PCM（Photo Cell Monitoring）缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式．对光刻缺陷进行监控，以减少缺陷产生。 |
| 关 键 词： | 光刻技术 缺陷管理 缺陷检测 有效管理 Cell 缺陷产生 亚波长 浸没式 |
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