| 与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准 |
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| 引用本文： | 王忆,巩文超,王义凯,何乐年,严晓浪.与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2008,42(11):1878-1884. |
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| 作者姓名： | 王忆 巩文超 王义凯 何乐年 严晓浪 |
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| 作者单位： | 浙江大学 超大规模集成电路设计研究所,浙江 杭州 310027 |
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| 基金项目： | 浙江省科技厅计划资助项目 |
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| 摘 要： | 利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子（空穴）迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5 μm CMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62 μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10－4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.
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| 关 键 词： | 全 CMOSlang="EN-US">CMOS style="font-family: " target="_blank">宋体"> 电流基准 体效应 工艺涨落 |
Temperature,supply voltage and process variation independent CMOS current reference |
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| WANG Yi,GONG Wen-chao,WANG Yi-kai,HE Le-nian,YAN Xiao-lang.Temperature,supply voltage and process variation independent CMOS current reference[J].Journal of Zhejiang University(Engineering Science),2008,42(11):1878-1884. |
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| Authors: | WANG Yi GONG Wen-chao WANG Yi-kai HE Le-nian YAN Xiao-lang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | all CMOS current reference body effect process variation |
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