| 以新型硼源制备硼掺杂金刚石膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 王梁,江彩义,郭胜惠,高冀芸,胡途,杨黎,彭金辉,张利波. 以新型硼源制备硼掺杂金刚石膜的性能研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2017, 37(1): 7-12. DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2017.1.0002 |
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| 作者姓名： | 王梁 江彩义 郭胜惠 高冀芸 胡途 杨黎 彭金辉 张利波 |
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| 作者单位： | 1. 超硬材料先进制备技术国际联合研究中心, 昆明 650093;2. 微波能工程应用与装备技术国家地方联合工程实验室, 昆明 650093;3. 非常规冶金教育部重点实验室, 昆明 650093;4. 云南民族大学 化学与环境学院, 昆明 650031;5. 昆明理工大学 冶金与能源工程学院, 昆明 650093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.51604134）；国家科技计划对俄科技合作专项（No.2015DFR50620）；云南省教育厅科学研究项目（No.2016ZZX040）；昆明市科技计划项目（No.2014-04-A-H-02-3085）。 |
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| 摘 要： | 采用微波等离子体化学气相沉积技术，以氧化硼-乙醇溶液作为硼源，制备不同掺硼浓度的金刚石膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、电化学工作站等研究其表面形貌、晶体结构、薄膜质量和电化学性能。结果表明:随硼元素含量升高，金刚石膜的晶体颗粒尺寸先减小后增大，电势窗口由3.1V降至2.6V，阳极电流密度由0.022 7mA·cm-2降至0.011 9mA·cm-2，但对背景电流及电化学可逆性几乎不影响。
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| 关 键 词： | 硼掺杂 金刚石膜 电化学性能 |
Properties of boron doped diamond films prepared by new type of boron source |
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| WANG Liang,JIANG Caiyi,GUO Shenghui,GAO Jiyun,HU Tu,YANG Li,PENG Jinhui,ZHANG Libo. Properties of boron doped diamond films prepared by new type of boron source[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2017, 37(1): 7-12. DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2017.1.0002 |
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| Authors: | WANG Liang JIANG Caiyi GUO Shenghui GAO Jiyun HU Tu YANG Li PENG Jinhui ZHANG Libo |
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| Abstract: | Diamond films with different boron concentrations are prepared by using microwave plasma chemical vapor deposition with ethanol-boron-oxide solution as boron source.SEM, XRD, Raman spectroscopy and electrochemical work station were used to observe and study the surface morphology, crystal structure and electro-chemical properties of the film.Resultsshow that with the increase of boron concentration, crystalline size of diamond film first decreases and then increases, while the potential window decreases from 3.1 V to 2.6 V and the anodic current decreases from 0.022 7mA·cm-2 to 0.011 9 mA·cm-2.But such increase has almost no influence on background current and electro-chemical reversibility. |
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