掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料的电导率和霍耳迁移率

用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度(R)的试样,测试它们垂直和顺NiSb纤维方向的电导率以及垂直纤维方向的霍耳电压,求出霍耳系数R_Ⅱ,载流子浓度n,杂质浓度N和霍耳迁移率μ_Ⅱ。不论掺Te与否,导电类型皆为n-型,原料中带入n-型杂质。电导率有方向性,σ_11>σ_1,掺Te共晶的电导率大于未掺Te者。凝固速度增大时,掺Te共晶的σ,n,N增大不明显,因而μ_Ⅱ下降程度较小;而未掺Te共晶的σ,n,N随R增大而增大比较明显,因而其μ_H随R增大而减小较显著。掺Te共晶的μ_Ⅱ比未掺Te的小。