| Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能 |
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| 引用本文： | 李含,谷开慧,顾学智. Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能[J]. 吉林化工学院学报, 2015, 32(1): 77-81 |
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| 作者姓名： | 李含 谷开慧 顾学智 |
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| 作者单位： | 1. 长春理工大学光电信息学院,吉林长春,130012
2. 吉林省煤田地质局物探公司,吉林长春,130012 |
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| 基金项目： | 吉林省教育厅“十一五”科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷晶体结构、显微结构及介电性能的影响.结果表明:当掺杂量x在所研究区域质量分数0~0.8%之间时,样品均形成纯钙钛矿固溶体;两种掺杂对钛酸钙铜陶瓷的晶体生长均有抑制作用,Cr2O3掺杂的样品在1100℃致密成瓷,Nb2O5掺杂的样品在1080℃致密成瓷;当Cr2O3掺杂量为质量分数0.4%、Nb2O5掺杂量为质量分数0.4%时,与纯CCTO相比,两种掺杂对陶瓷的介电性能均有明显的改善作用,室温、1kHz下陶瓷的介电损耗分别为0.04、0.17,Cr2O3掺杂钛酸钙铜陶瓷性能要优于Nb2O5掺杂的钛酸钙铜陶瓷.
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| 关 键 词： | CaCu3Ti4O12 掺杂 烧结温度 介电特性 |
Structure and Dielectric Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics for Cr2O3 and Nb2O5-doping |
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| LI Han,GU Kai-hui,Gu Xue-zhi. Structure and Dielectric Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics for Cr2O3 and Nb2O5-doping[J]. Journal of Jilin Institute of Chemical Technology, 2015, 32(1): 77-81 |
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| Authors: | LI Han GU Kai-hui Gu Xue-zhi |
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