| 预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响 |
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| 引用本文： | 廉瑞凯,李林,范亚明,王勇,邓旭光,张辉,冯雷,朱建军,张宝顺.预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响[J].中国激光,2013(1):164-168. |
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| 作者姓名： | 廉瑞凯 李林 范亚明 王勇 邓旭光 张辉 冯雷 朱建军 张宝顺 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176126,61006084);杰出青年基金(60925017)资助课题 |
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| 摘 要： | 主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预辅Al时间为10s,AlN缓冲层的厚度为40nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μm)表面形貌较好,X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)(0002)面和(10-12)面分别为452″和722″。
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| 关 键 词： | 材料 GaN Si(111) AlN缓冲层 预辅Al 应变状态 |
Effects of AlN Buffer Layer Thickness and Al Pre-Treatment on Properties of GaN/Si(111) Epilayer |
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| Lian Ruikai,Li Lin,Fan Yaming,Wang Yong,Deng Xuguang,Zhang Hui,Feng Lei,Zhu Jianjun,Zhang Baoshun.Effects of AlN Buffer Layer Thickness and Al Pre-Treatment on Properties of GaN/Si(111) Epilayer[J].Chinese Journal of Lasers,2013(1):164-168. |
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| Authors: | Lian Ruikai Li Lin Fan Yaming Wang Yong Deng Xuguang Zhang Hui Feng Lei Zhu Jianjun Zhang Baoshun |
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| Affiliation: | 1State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,Changchun University of Science and Technology, Changchun,Jilin 130022,China 2Suzhou Institute of Nano-Technology and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences, Suzhou,Jiangsu 215123,China) |
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