| 一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法 |
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| 引用本文： | 祝鹏,潘立阳,古海明,谯凤英,邓宁,许军. 一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法[J]. 半导体学报, 2010, 31(10): 104008-5 |
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| 作者姓名： | 祝鹏 潘立阳 古海明 谯凤英 邓宁 许军 |
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| 摘 要： | 随着器件特征尺寸的缩小，热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响，传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法，可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制，使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。
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| 关 键 词： | 陷阱电荷 纳米级 表征方法 电荷泵 器件 修改 MOSFET 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2010-04-02 |
| 修稿时间： | 2010-05-04 |
A novel modified charge pumping method for trapped charge characterization in nanometer-scale devices |
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| Zhu Peng,Pan Liyang,Gu Haiming,Qiao Fengying,Deng Ning and Xu Jun. A novel modified charge pumping method for trapped charge characterization in nanometer-scale devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(10): 104008-5 |
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| Authors: | Zhu Peng Pan Liyang Gu Haiming Qiao Fengying Deng Ning Xu Jun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Beijing 100084, China;Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Beijing 100084, China;Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | charge pumping trapped charge distribution localized VT |
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