| 锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究 |
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| 引用本文： | 许金铃,陈城钊,詹镇业,陈佳仪,王久川,曾锦城,陈景乐. 锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究[J]. 材料研究与应用, 2019, 13(4): 278-280,286 |
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| 作者姓名： | 许金铃 陈城钊 詹镇业 陈佳仪 王久川 曾锦城 陈景乐 |
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| 作者单位： | 韩山师范学院 物理与电子工程学院,广东 潮州,521041 |
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| 基金项目： | 国家级大学生科技创新项目;广东省自然科学基金;创新项目 |
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| 摘 要： | 采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,分别研究了样品热退火前后的微结构和电学性能.实验结果表明,该掺杂方法能得到稳定的n型锗材料,其电学性能随热退火温度的升高和时间的缩短而进一步改善,其中在700℃、3 s退火条件下,样品的电学激活浓度约为3.14×10~(19 )cm~(-3),方块电阻为63.5Ω/sq.
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| 关 键 词： | n型锗材料 砷离子注入 快速热退火 |
Experimental study on doping and annealing activation of As ion implantation in Ge materials |
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| XU Jinling,CHEN Chengzhao,ZHAN Zhenye,CHEN Jiayi,WANG Jiuchuan,ZENG Jincheng,CHEN Jingle. Experimental study on doping and annealing activation of As ion implantation in Ge materials[J]. MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION, 2019, 13(4): 278-280,286 |
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| Authors: | XU Jinling CHEN Chengzhao ZHAN Zhenye CHEN Jiayi WANG Jiuchuan ZENG Jincheng CHEN Jingle |
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