| 用于太赫兹成像的CMOS肖特基二极管三维结构 |
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| 引用本文： | 崔大圣,杨佳铭,姚宏璇,吕昕. 用于太赫兹成像的CMOS肖特基二极管三维结构[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40(2): 184-188 |
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| 作者姓名： | 崔大圣 杨佳铭 姚宏璇 吕昕 |
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| 作者单位： | 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081,北京理工大学 信息与电子学院 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081,北京理工大学 信息与电子学院 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081,北京理工大学 信息与电子学院 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081 |
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| 摘 要： | 提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz，分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1 THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器，在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W，等效噪声功率估计为400 pw/。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体工艺 检波器 成像 肖特基二极管 太赫兹（THz） |
| 收稿时间： | 2020-05-07 |
| 修稿时间： | 2021-04-13 |
Three-dimensional structure analysis of Schottky barrier diode in CMOS technology for terahertz imaging |
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| CUI Da-Sheng,YANG Jia-Ming,YAO Hong-Xuan and LYU Xin. Three-dimensional structure analysis of Schottky barrier diode in CMOS technology for terahertz imaging[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2021, 40(2): 184-188 |
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| Authors: | CUI Da-Sheng YANG Jia-Ming YAO Hong-Xuan LYU Xin |
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| Keywords: | CMOS detector imaging Schottky barrier diode terahertz |
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