| 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究 |
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| 引用本文： | 沈川,陈路,卜顺栋,刘仰融,何力. 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40(2): 156-160 |
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| 作者姓名： | 沈川 陈路 卜顺栋 刘仰融 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院青年创新促进会项目 |
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| 摘 要： | 对高温热退火前后分子束外延（MBE）生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现，高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变，从而破坏原生结构。这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制。同时，对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟，研究了不同变化对其能带结构和光电流的影响。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 P-on-N 界面结构 热退火 光电流 |
| 收稿时间： | 2020-05-11 |
| 修稿时间： | 2021-03-31 |
Effect of thermal annealing on the interface changes of multi-layer HgCdTe P-on-N materials grown by MBE |
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| SHEN Chuan,CHEN Lu,BU Shun-Dong,LIU Yang-Rong and HE Li. Effect of thermal annealing on the interface changes of multi-layer HgCdTe P-on-N materials grown by MBE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2021, 40(2): 156-160 |
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| Authors: | SHEN Chuan CHEN Lu BU Shun-Dong LIU Yang-Rong HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe P-on-N interface thermal annealing light current |
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