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| 邻位取代苝酰亚胺衍生物的合成及其电子迁移率 | |
| 作者单位： | ;1.大连理工大学精细化工国家重点实验室 |
| 摘 要： | 以N,N'-二(3-戊胺)苝酰亚胺为底物,分别经过Ir催化剂直接催化邻位C—H的硼酸酯化和取代反应得到了2,5,8,11位含氯和含溴的苝酰亚胺衍生物Ⅲ和Ⅳ,利用1HNMR、13CNMR和HRMS对产物进行了表征。通过在苝酰亚胺的邻位引入卤原子后,相对于化合物Ⅰ,化合物Ⅲ和Ⅳ吸收光谱和荧光光谱均发生了蓝移;LUMO能级明显降低,分别为-4.18 eV和-4.16 eV。邻位引入卤原子后化合物Ⅲ和Ⅳ仍然具有良好的热稳定性,其失重5%时的温度(T d)均大于370℃。利用空间电荷限制电流(SCLC)法测试了它们的电子迁移率,发现卤原子的引入使分子间排列更加有序,其中化合物Ⅲ的迁移率最高,可以达到3.05×10-4cm2·V-1·s-1。 |
| 关 键 词： | 苝酰亚胺 邻位取代 光谱性质 电化学性质 热稳定性 电子迁移率 功能材料 |
Preparation of Ortho Substituted Perylene Bisimides Derivatives and Their Electron Transport |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |