多晶硅层中的硼扩散

用氮化硼和乙硼烷作扩散源,将硼扩散到5.5微米厚的多晶硅中。扩散深度与扩散时间的平方根成正比。多晶硅层中的硼扩散可用熟知的补余误差函数表示。硼源用乙硼烷时多晶硅中硼的扩散系数,比用氮化硼时要大,而且在实验范围内比单晶硅衬底中要大10～50倍。在1050℃用乙硼烷作硼源在单晶硅衬底中硼的扩散系数,用氮化硼和乙硼烷作硼源时在多晶硅中硼的扩散系数分别为:8.86×10~(-14),1.17×10~(-12)和1.95×10~(-12)厘米~2/秒。在以上情况中,硼的扩散系数的激活能分别为3.42,2.39和2.51电子伏。