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圆片直接键合界面表面能测试研究
引用本文:廖广兰,王美成,史铁林,史玉平,汤自荣,聂磊.圆片直接键合界面表面能测试研究[J].半导体光电,2008,29(3):379-382.
作者姓名:廖广兰  王美成  史铁林  史玉平  汤自荣  聂磊
作者单位:武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074;武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074;武汉光电国家实验室,湖北 武汉 430074;武汉光电国家实验室,湖北 武汉,430074
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金
摘    要:基于裂纹传播扩散法,研究了键合圆片的表面能计算方法,推导出包括圆形、矩形、三角形等形状样品的平均表面能计算公式,并应用于硅片直接键合的表面能计算.应用实例表明,上述公式能方便地计算出键合圆片的平均表面能,实现对键合质量的检测和评估,进而可以指导和优化圆片直接键合工艺.

关 键 词:圆片键合  界面  裂纹传播扩散  表面能  测试
文章编号:1001-5868(2008)03-0379-04
修稿时间:2007年8月1日

Measurement of Surface Energy for Wafer Direct Bonding
LIAO Guang-lan,WANG Mei-cheng,SHI Tie-lin,SHI Yu-ping,TANG Zi-rong,NIE Lei.Measurement of Surface Energy for Wafer Direct Bonding[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(3):379-382.
Authors:LIAO Guang-lan  WANG Mei-cheng  SHI Tie-lin  SHI Yu-ping  TANG Zi-rong  NIE Lei
Abstract:
Keywords:
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