CuBi2O4光阴极的旋涂工艺及光电化学性能研究

采用旋涂法在导电玻璃(FTO)上制备了CuBi_2O_4薄膜。通过调控旋涂的次数,得到具有较优光电化学性能的CuBi_2O_4薄膜。同时研究了多次旋涂过程中旋涂转速、烘干温度对制备的薄膜的均匀性的影响。实验结果表明:采用3 000 r/min转速,300℃的烘干温度可以得到均匀的薄膜。旋涂层数为4层时可以得到最优的光电催化性能,较旋涂3次的薄膜性能提升72%。