| 激光诱导制备纳米SiC粉体 |
| |
| 引用本文： | 线全刚,梁勇,杨柯,王淑兰. 激光诱导制备纳米SiC粉体[J]. 沈阳工业大学学报, 2003, 25(2): 170-172 |
| |
| 作者姓名： | 线全刚 梁勇 杨柯 王淑兰 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院,金属研究所,辽宁,沈阳,110016 |
| |
| 摘 要： | 以硅烷Sih4和乙炔C2H2为反应原料，采用激光诱导化学气相沉积制备(LICVD)理想纳米SIC粉体．用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征，结果表明粉体中SiC含量高于98％，平均粒径为20nm，晶体结构为β—SiC粉体产率大于200g／h，粉体中含氧量低于1％。
|
| 关 键 词： | 制备 纳米碳化硅粉体 纳米SiC粉体 激光诱导化学气相沉积 |
| 文章编号： | 1000-1646(2003)02-0170-03 |
| 修稿时间： | 2002-11-18 |
Synthesis of nano SiC powder by laser induced gas phase reaction |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | laser synthesis nanometer SiC |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
