| 存储器行缓冲区命中预测研究 |
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| 引用本文： | 王得利,高德远,王党辉,孙华锦.存储器行缓冲区命中预测研究[J].计算机科学,2010,37(6):297-302. |
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| 作者姓名： | 王得利 高德远 王党辉 孙华锦 |
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| 作者单位： | 西北工业大学计算机学院,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，国家自然科学基金项目，国家863项目 |
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| 摘 要： | 存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈.现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问操作的平均延迟.首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以SimpleScalar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评估.结果显示,与缓冲区"关"策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区"开"策略相比,平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%.
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| 关 键 词： | 存储系统 行缓冲区 页模式预测 读写分离 |
| 收稿时间： | 2009/7/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2009/10/19 0:00:00 |
Research on Row Buffer Hit Prediction for Memory Access |
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| WANG De-li,GAO De-yuan,WAND Dang-hui,SUN Hua-jin.Research on Row Buffer Hit Prediction for Memory Access[J].Computer Science,2010,37(6):297-302. |
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| Authors: | WANG De-li GAO De-yuan WAND Dang-hui SUN Hua-jin |
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| Affiliation: | (College of Computer, Northwestern Polytechnical University, Xi'an710072, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Memory system Row buffer Page mode prediction Separated read and write |
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