| 低噪声CMOS电荷灵敏前放的ASIC设计 |
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| 引用本文： | 邓智,程建平,刘以农,康克军.低噪声CMOS电荷灵敏前放的ASIC设计[J].核电子学与探测技术,2005,25(6):678-681. |
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| 作者姓名： | 邓智 程建平 刘以农 康克军 |
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| 作者单位： | 清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 当前辐射探测应用对前端电子学的集成度要求越来越高，如何实现高密度、低成本和一定性能以及可靠的核电子学成为重要的课题。CMOS ASIC可以实现低成本和用户定制，成为核电子学专用集成电路的主要工艺，采用无锡华润0．6μm CMOS工艺完成了低噪声CMOS电荷灵敏前放的第一次原型设计。
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| 关 键 词： | 低噪声 CMOS电荷灵敏放大器 专用集成电路 |
| 文章编号： | 0258-0934(2005)06-0678-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月11 |
Design of low noise CMOS charge sensitive amplifier ASIC |
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| DENG Zhi,CHENG Jian-ping,LIU Yi-nong,KANG Ke-jun.Design of low noise CMOS charge sensitive amplifier ASIC[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2005,25(6):678-681. |
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| Authors: | DENG Zhi CHENG Jian-ping LIU Yi-nong KANG Ke-jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-noise CMOS CSA ASIC |
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