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| LPCVD水解法制备TiO2薄膜 | |
| 引用本文： | 李文漪,李刚,蔡峋,孙彦平,赵君芙. LPCVD水解法制备TiO2薄膜[J]. 材料科学与工程学报, 2003, 21(3): 331-334 |
| 作者姓名： | 李文漪 李刚 蔡峋 孙彦平 赵君芙 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030 2. 上海交通大学分析测试中心,上海,200030 3. 太原理工大学化学工程与技术学院,山西,太原,030024 |
| 摘 要： | 本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛(TTIP)制备TiO2薄膜，研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究，计算出TTIP水解反应表观活化能为59．85kJ／mo1。沉积温度不仅影响反应速率，还对TO2薄膜结构、表面形貌有决定性的作用。XRD和Raman分析表明：TTIP水解法制备TiO2薄膜，薄膜结构主要依赖于沉积温度。180℃—220℃沉积TiO2薄膜为非晶态，240℃—300℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构。在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现，水分压为零时，TTIP发生热解反应，TiO2沉积率不为零，热解反应240℃无锐钛矿特征峰出现。这说明水解反应制备TiO2有利于降低锐钛矿的生长温度。氧分子的加入可以消除TiO2薄膜表面的“针孔”。 |
| 关 键 词： | LPCVD法 水解 四异丙醇钛 制备 TiO2 二氧化钛薄膜 光催化剂 化学气相沉积 有机污染物 降解 |
| 文章编号： | 1004-793X(2003)03-0331-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-20 |
Growth of Titanium Dioxide Thin Films by LPCVD |
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| LI Wen-yi+,LI Gang+,CAI Xun+,SUN Yan-ping+,ZHAO Jun-fu+. Growth of Titanium Dioxide Thin Films by LPCVD[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2003, 21(3): 331-334 | |
| Authors: | LI Wen-yi+ LI Gang+ CAI Xun+ SUN Yan-ping+ ZHAO Jun-fu+ |
| Affiliation: | LI Wen-yi+1,LI Gang+2,CAI Xun+1,SUN Yan-ping+3,ZHAO Jun-fu+3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | chemical vapour deposition(CVD) titanium dioxide hydrolysis kinetic |
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