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| 产业资讯 | |
| 摘 要： | 电子信息材料南昌大学研制成功硅衬底GaN蓝色发光二极管日前,南昌大学材料科学研究所在Si衬底上获得了高质量的GaN基多量子阱LED外延材料,并研制成功硅衬底GaN蓝色发光二极管。据专家评价,南昌大学的硅衬底蓝色发光二极管材料及器件工艺路线为我国发展自主知识产权的发光材料开辟了崭新的空间。蓝色发光二极管用途十分广泛,主要包括手机背光源、手机来电闪发光电池、仪器及汽车音响显示面板背光等。目前国外商品化GaN材料是在Si衬底或蓝宝石上生长的。由于GaN 与Si衬底间存在巨大的晶格失配和热失配的难题,在Si衬底上很难得到器件质量的GaN材 |
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