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| IGBT和VDMOS解析模型和模拟 | |
| 作者姓名： | 弓小武 高玉民 |
| 作者单位： | 西安交通大学 |
| 摘 要： | 采用解析分析的方法，开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件，它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模拟结果和实验结果。 |
| 关 键 词： | IGBT VDMOS 晶体管 解析模型 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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