| 等离子体基低能离子注入技术的研究与发展 |
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| 引用本文： | 雷明凯.等离子体基低能离子注入技术的研究与发展[J].真空科学与技术学报,1999,19(4). |
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| 作者姓名： | 雷明凯 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料工程系表面工程研究室!大连116024 |
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| 摘 要： | 将低能离子注入技术引入等离子体基离子注入，一方面利用低能离子注入的低能优势，另一方面利用等离子体基离子注入的全方位优势，开发出等离子体基低能离子注入技术。等离子体基低能离子注入技术包括等离子体基低能氮、碳离子注入和等离子体源低能离子增强沉积两类工艺。低能离子的注入能量（０．４～３ ｋｅＶ）达到常规等离子体热化学扩散处理的电压范围，而工艺温度（２００～５００℃）则降至常规离子注入的上限温度范围。通过大量的工艺实验研究，实现了工艺过程的优化和控制，完成了对等离子体基低能离子注入改性铁基材料的金属学问题及物理、化学和力学性能的系统研究。证明了等离子体基低能离子注入技术满足铁基材料的表面改性要求。同时具有产业化发展潜力。
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| 关 键 词： | 等离子体基离子注入 低能 表面改性 |
Research and Development of Plasma-based Low-energy Ion Implantation |
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| Lei Mingkai.Research and Development of Plasma-based Low-energy Ion Implantation[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1999,19(4). |
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| Authors: | Lei Mingkai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Plasma-based ion implantation Low-energy Surface modification |
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