| In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响 |
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| 引用本文： | 彭丽萍,方亮,杨小飞,周科,黄秋柳,吴芳,阮海波.In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响[J].真空科学与技术学报,2010,30(6). |
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| 作者姓名： | 彭丽萍 方亮 杨小飞 周科 黄秋柳 吴芳 阮海波 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，重庆大学研究生创新基金项目，重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划资助项目 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响。所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火提高了薄膜的结晶行为,但使得薄膜的表面有部分团聚形成。由于In3+替代了Zn2+,提供了一个多余的电子,ZnO薄膜的电阻率从28.9Ω.cm降低到4.3×10-3Ω.cm。由于载流子浓度的增加和晶格尺寸的拉长,In的掺杂使得ZnO薄膜的禁带宽度增加;空气中退火后薄膜的载流子浓度降低和晶格尺寸的减小,使得禁带宽度降低。ZnO薄膜在可见光范围的透光率在90%以上,受In的掺杂和退火的影响不大。室温下用325 nm的激发光源测试了样品的光致发光(PL)谱,发现In的掺杂对薄膜的PL谱影响不大,而退火后的ZnO薄膜在446 nm处的蓝光发射明显增强,更适合于作为蓝色发光器件。
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| 关 键 词： | 透明导电薄膜 磁控溅射 In掺杂ZnO薄膜 光电性能 |
Microstructures and Properties Characterization of In-Doped ZnO Films |
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| Peng Liping,Fang Liang,Yang Xiaofei,Zhou Ke,Huang Qiuliu,Wu Fang,Ruan Haibo.Microstructures and Properties Characterization of In-Doped ZnO Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2010,30(6). |
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| Authors: | Peng Liping Fang Liang Yang Xiaofei Zhou Ke Huang Qiuliu Wu Fang Ruan Haibo |
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