| 射频磁控反应溅射制备HfO2薄膜的工艺及电性能 |
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| 引用本文： | 鹿芹芹,刘正堂,刘文婷,张淼. 射频磁控反应溅射制备HfO2薄膜的工艺及电性能[J]. 西北工业大学学报, 2008, 26(2): 249-253 |
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| 作者姓名： | 鹿芹芹 刘正堂 刘文婷 张淼 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬 底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究.结果 表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气压增加呈先 增大后减小的趋势.制备的薄膜中Hf和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比.研究了薄 膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律.
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| 关 键 词： | 磁控反应溅射 HfO2薄膜 沉积速率 C-V特性 射频磁控 反应气体 溅射制备 薄膜 工艺 电性能 RF Magnetron Sputtering Thin Film Oxide Hafnium Electrical Properties Parameters Technical 规律 影响 退火温度 射频功率 气流量 特性 化学计量比 |
| 文章编号： | 1000-2758(2008)02-0249-05 |
| 修稿时间： | 2007-03-01 |
Influence of Technical Parameters on Electrical Properties of Hafnium Oxide Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| Lu Qinqin,Liu Zhengtang,Liu Wenting,Zhang Miao. Influence of Technical Parameters on Electrical Properties of Hafnium Oxide Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Journal of Northwestern Polytechnical University, 2008, 26(2): 249-253 |
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| Authors: | Lu Qinqin Liu Zhengtang Liu Wenting Zhang Miao |
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