| 掺K^＋和Ag^＋的LaMnO3的室温庞磁电阻效应 |
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| 引用本文： | 陈永虔,谷坤明,等.掺K^＋和Ag^＋的LaMnO3的室温庞磁电阻效应[J].磁性材料及器件,2001,32(3):9-13. |
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| 作者姓名： | 陈永虔 谷坤明 |
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| 作者单位： | [1]南京大学物理系，江苏南京210093 [2]固体微结构国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用固相烧结法制备了名义成分为La1-xKxMnO3(x=0.1-0.4)和La0.8K0.2-yAgyMnO3(y=0-0.2)的多晶样品，发现用K、Ag取代La后，可使菱面体结构的这种钙钛矿型稀土锰氧化物居里温度升高至室温附近，从而使样品的室温磁电阻增大，其中La0.8K0.2MnO3在μ0H=1T磁场下的磁电阻可达13．5％。该值比单纯掺Na和掺Ag的同样成分的稀土锰氧化物的磁电阻要大。通过对磁电阻与磁化强度之间密切关系的讨论，探讨了磁电阻效应的微观机理。
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| 关 键 词： | 钙钛矿型稀土锰氧化物 磁电阻 庞磁电阻效应 |
| 文章编号： | 1001-3830(2001)03-0009-05 |
Room Temperature Colossal
Magnetoresistance Effectin K+- and Ag+-doped LaMnO3 |
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| CHEN Yongqian.Room Temperature Colossal
Magnetoresistance Effectin K+- and Ag+-doped LaMnO3[J].Journal of Magnetic Materials and Devices,2001,32(3):9-13. |
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| Authors: | CHEN Yongqian |
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