| CdZnTe晶片的性能测试 |
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| 引用本文： | 李国强,华慧,介万奇.CdZnTe晶片的性能测试[J].红外技术,2003,25(4):69-72. |
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| 作者姓名： | 李国强 华慧 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (编号 :5 9982 0 0 6 )，国家杰出青年基金 (编号 :5 982 5 10 9) |
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| 摘 要： | 测试了多个Cd0．9Zn0．1Te晶片的性能，包括红外透过率、成分分布、位错密度、Te沉淀／夹杂密度以及电阻率。研究表明，红外透过率与性能有着密切的联系：红外透过率的大小及红外透过率图谱的形状可反映晶片的成分分布、位错密度以及电阻率的情况。从晶片对红外光的吸收机理出发，对这些联系进行了详细的分析。
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| 关 键 词： | CdZnTe晶片 红外透过率 位错密度 成分分布 电阻率 自由载流子吸收 晶格吸收 |
| 文章编号： | 1001-8891(2003)04-0069-04 |
| 修稿时间： | 2002年11月5日 |
Characterization Properties of CdZnTe Wafers |
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| LI Guo-qiang,HUA Hui,JIE Wan-qi.Characterization Properties of CdZnTe Wafers[J].Infrared Technology,2003,25(4):69-72. |
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| Authors: | LI Guo-qiang HUA Hui JIE Wan-qi |
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| Abstract: | Several Cd 0.9Zn 0.1Te wafers are characterized by IR transmittance, concentration distribution, dislocation density, Te precipitates and inclusions, and resistivity. It is found that there exit close correlations between the IR transmittance and other properties. Both the magnitude of the IR transmittance and the shape of the IR transmittance spectra can reflect the concentration distribution, dislocation density and resistivity of the Cd 0.9Zn 0.1Te wafers. These correlations are detailed by analyzing the mechanism of Cd 0.9Zn 0.1Te absorption of IR emission. |
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| Keywords: | CdZnTe IR transmittance lattice absorption free carrier absorption |
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