首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

多孔硅的制备和发光特性
引用本文:杨国伟. 多孔硅的制备和发光特性[J]. 半导体光电, 1993, 14(2): 115-120
作者姓名:杨国伟
作者单位:航空航天部第014中心 洛阳
摘    要:本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。

关 键 词:多孔硅 光致发光 制备

Preparation and Photoluminescence of Porous Silicon
Yang Guowei. Preparation and Photoluminescence of Porous Silicon[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1993, 14(2): 115-120
Authors:Yang Guowei
Abstract:The preparation of porous silicon is described as well as the mecha- nism of porous iayer formation and the photoluminescence and its interpretation. Existing problems are discussed.
Keywords:Porous Silicon  Photoluminescence
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号